采购IGBT模块英飞凌FF150R12RT4
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最后更新: 2021-08-31 03:24
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详细信息
FF150R12RT4
技术参数:
• Ic(A),Tc=80℃  50
• Vce(sat),Max(V)  2.15
• Ton(us) 0.15
• Toff(us) 0.4
• Rth(j-c),K/W  0.19
• Pc(W) 790
• 封装  34mm
• 电路结构 半桥
性能概要:
• 扩展工作温度TVJ op
• 低开关损耗
• 低V(CESAT)
• T(VJ OP)=150℃
• V(CESAT)具有正温度系数
• 隔离底板
• 标准外形
优点:
• 灵活性
• *佳的电气性能
• *高的可靠性
目标应用:
• 电机控制和驱动
• 太阳能系统解决方案
对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品
• 不间断电源(UPS)
• 商业,农业和工程车辆(CAV)
• 感应加热
• 工业焊接
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