英飞凌igbt模块BSM200GA120DN
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| 产品单价： |
480.00元/件 |
| 起订件数： |
1 件 |
| 供货总量： |
10000 件 |
| 所在产地： |
北京 |
| 有效期至： |
长期有效 |
| 最后更新： |
2021-08-30 15:10 |
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详情介绍
BSM200GA120DN2 参数
制造商Infineon
产品种类IGBT 模块
RoHS是
产品IGBT Silicon Modules
配置Single
集电极—发射极*大电压 VCEO1200 V
集电极—射极饱和电压2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C300 A
栅极—射极漏泄电流200 nA
功率耗散1550 W
*大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体62MM
栅极/发射极*大电压+/- 20 V
*小工作温度- 40 C
安装风格Screw
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