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三星官方宣布成功研发为什么3nmGAAFET工艺芯片,功耗下降50%

放大字体  缩小字体 发布日期:2020-01-06  来源:来自互联网  作者:来自互联网  浏览次数:129
导读

1月6日消息,来自《韩国经济》杂志的报道,三星电子旗下的半导体部门已经成功研发了全球首款3nm工艺制程的芯片。 在目前市面上流通的电子设备芯片中,最先进的依然是采用的7nm EUV工艺,苹果、华为等手机厂…

1月6日消息,来自《韩国经济》杂志的报道,三星电子旗下的半导体部门已经成功研发了全球首款3nm工艺制程的芯片。

在目前市面上流通的电子设备芯片中,最先进的依然是采用的7nm EUV工艺,苹果、华为等手机厂商的手机芯片都采用了这一工艺。随着今年2月份采用5nm工艺制程的芯片即将上市,5nm工艺的芯片预计将会统治今明两年的高端芯片市场。

报道称,三星研发的全球首款3nm工艺制程芯片采用了全栅极(GAAFET)技术,而三星此前研发的5nm芯片则采用了FinFET工艺,相比5nm,3nm工艺芯片的总硅片面积减少了35%,功耗降低了50%,性能提高30%。

在去年的12月底,据彭博社消息,三星电子计划投资1160亿美元进行芯片产业升级,投资半导体小型化,一种被称为极紫外光刻(EUV)的工艺。这是三星迄今为止尝试过的最昂贵的制造业升级。

 
 
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